基于NdGaO3单晶开发的新型太赫兹相位调制器
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2023-02-22 10:29:16
摘要 根据最近发表在 ACS Applied Electronic Materials上的一篇论文 ，HFIPS的一个合作研究小组成功开发了一种NdGaO 3 (NGO)单晶有源太
根据最近发表在 ACS Applied Electronic Materials上的一篇论文 ，HFIPS的一个合作研究小组成功开发了一种NdGaO 3 (NGO)单晶有源太赫兹相位调制器，该调制器是太赫兹相位调制器的合适候选者。
寻找合适的材料来塑造太赫兹 (THz) 波不仅是非常需要的，而且也是限制太赫兹技术工程应用的挑战。
在这项研究中，科学家们发现 NdGaO 3 晶体显示出明显的太赫兹相移。当NGO单晶的温度从100增加到400 K时，太赫兹相移将达到～94°。
此外，NGO 晶体的太赫兹相移对晶体取向敏感。每个晶体取向的相移呈线性比例关系。
借助光学控制，该团队实现了太赫兹相位的主动调制：激光照明可以有效地引起明显的太赫兹偏移。20 J/cm 2 的 光通量可实现太赫兹频移～78°，操作稳定性好。通过改变光通量，可以实现多态太赫兹相移。
该团队表示，NGO 晶体的灵敏度和稳定性有望产生巨大的技术影响，并为其在太赫兹光学领域的应用提供前景。
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