ETRI将可传输25Gbps30km的光源装置商业化
韩国研究人员和一家中小企业成功地将一种光源1)商业化，该光源能够在韩国首次实现每秒250 亿比特的长距离传输。
1)光源：将电信号转换为光信号的元件，采用化合物半导体工艺制造
电子与电信研究所 (ETRI) 宣布与 ELDIS Co., Ltd.成功实现了电吸收调制器集成激光器 (EML) 2)的商业化，该激光器能够以 25 Gbps 的速度传输超过 30 公里的数据。 III-V族半导体激光二极管芯片制造商。最近，随着 5G 移动和 AI 驱动服务的广泛普及，网络流量呈爆炸式增长，对高速 EML 芯片的需求也在迅速增长。
2)EML：Electro-absorption Modulated Laser，一种利用电场吸收方式调制光信号的化合物半导体光源元件
为了适应大数据流量，网络设备通常采用直接调制激光器(DML)，通过外加电流调制来开启和关闭。然而，当涉及到更高速度和更长距离的数据传输时，DML 存在局限性，因为延迟电流充电和放电时间的物理特性会显着降低调制速度，并恶化信号质量。
ETRI 开发了一种替代 DML 的 EML，以满足更高速度和更长距离的要求。EML 使用集成在其输出部分末端的电吸收调制器 (EAM) 3)比 DML 更快地调制输出光的强度，并瞬时吸收与施加电压成比例的光。与由于激光二极管的电容而限制调制速度的 DML 电流调制相比，这种电压调制显着提高了调制速度。
3)EAM：Electro-Absorption Modulator，一种通过吸收与施加电压强度成正比的光源来调制光信号的元件
目前，全球只有少数几家公司可以向市场提供EML，这意味着成为领先的芯片制造商是非常有意义的成就。
除此之外，研究团队将此评估为成功战略案例，展示了 ETRI 的试点研究如何转移到工业并实现为商业产品，尽管这是极其敏感的代工任务。In-Al-Ga-As(Indium-Aluminum-Gallium-Arsenic)化合物成分在激光二极管的高温输出强度和调制速度等性能方面具有优势，但可靠性较差，被In取代-Ga-As-P(Indium-Gallium-Arsenic-Phosphorus) 成分。在公司未来的量产过程中，转向考虑快速商业化和确保早期可靠性的战略是有效的。
ELDIS Co., Ltd. 量产过程中生产的 EML 在 55 ℃ 高温和室温下均可传输 25 Gbps。
此外，它还确保了可应用于数据中心网络的100Gbps调制速度，与全球竞品不相上下。
ELDIS Co., Ltd.的目标是首先提高25Gbps产品的量产良率，供应国内外5G市场，明年上半年推出100Gbps产品。
未来，ETRI与ELDIS株式会社计划继续合作，通过EML的性能提升和多元化，加强产品竞争力。还将努力通过光学模块的应用和制造过程后的特性和可靠性等评估技术来优化性能。
ETRI光学封装研究部负责人Lee Jong-jin表示：“我认为研究团队的先导研究成功地实现了商业化产品，这非常有意义。通过这种方式，我们相信我们有效地节省了时间和成本，我们将继续合作支持它成为世界上最好的产品。”
ETRI 技术转移负责人 Han Young-tak 也表示，“对于对工艺变量非常敏感的化合物光学半导体，稳定的代工运营是关键。” “我们会努力将铸造厂保持在最佳状态，让研究人员产出世界上最好的成果。” 他说。
ELDIS Co., Ltd. 首席执行官 Cho Ho-seong 表示，“韩国政府促进国内材料、零部件和设备产业的政策正在一点点取得成果。随着高附加值产品本地化的成功EML等光源，我们需要政府资助的研究机构和政府的持续支持，以加强国内供应链并追赶全球市场领导者。”
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